полупроводниковые соединения А₃В₅

GaAs арсенид галия поликристаллического методу Бриджмена (HB)

Слитки поликристаллического арсенида галлия по методу Бриджмена получаются путем синтеза галлия и мышьяка в кварцевой лодочке с последующей кристаллизацией методом Бриджмена ( HB ). Чистота исходных материалов не хуже 99.9999%.

GaAs арсенид галия по методу Чохральского ( LEC )

Слитки поликристаллического арсенида галлия по методу Чохральского получаются путем синтеза галлия и мышьяка в тигле из нитрида бора при высоком давлении инертного газа с последующим вытягиванием методом Чохральского ( LEC ) в печи с низким давлением инертного газа. Чистота исходных материалов не хуже 99.9999%.

ПАРАМЕТРЫ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА

* Типичный анализ методом искровой масс спектрометрии ( SSMS ) поставляется по требованию заказчика. SSMS анализ на данную конкретную партию предоставляется за отдельную плату.

ФОРМА И РАЗМЕРЫ

Поликристаллический арсенид галлия имеется в форме целых слитков или частей слитков с поперечным размером до 80мм, а также в виде резанных толстых пластин или измельченных гранул.
Поликристаллические слитки калибруются согласно требованию заказчика, отмываются, упаковываются; все партии сопровождаются Сертификатом Соответствия.