GaAs
GaP
InAs
GaSb
InSb
поли GaAs
GaAs для оптики
 |
GaP
фосфид галлия
cтандартная спецификация
(возможна поставка монокристаллов и пластин с нестандартными параметрами по запросу заказчика)
МОНОКРИСТАЛЛЫ
| легирующая примесь |
нелегированный |
S
|
Zn |
| тип проводимости |
n |
n |
p |
| концентрация носителей, см -3 |
≤1x1016 |
1x1017 - 2x1018
| 2x1017 - 2x1018 |
| подвижность, м2/В.с |
≥100 |
≥60 |
≥60 |
| плотность дислокаций, см-2 |
≥2x105 |
≥2x105 |
≥2x105 |
ПЛАСТИНЫ
| диаметр, мм |
50.8 ± 0.3 |
76.2 ± 0.3 |
| толщина, мкм |
300 ± 15 |
400 ± 15 |
| ориентация поверхности |
(100) |
(111) |
| точность ориентации |
± 0.5° |
± 0.1° |
| отклонение от точной ориентации |
(1 - 10)± 0.1° в заданном направлении |
| базовый и дополнительный срезы |
по стандарту SEMI M9, US SEMI и E/J SEMI |
обработка поверхности
 лицевая сторона
обратная торона |
полированная, годная к эпитаксии
полированная, шлифовано-травленая |
| упаковка |
индивидуальная |
|
