 |
 |
 |
 |
о компании  |
соединения А3В5 | материалы и источники | высокочистые материалы |
|
|
полупроводниковые соединения А3В5GaAsGaP InAs GaSb InSb поли GaAs GaAs для оптики |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| легирующая примесь | нелегированный | S | Zn, Mn |
| тип проводимости | n | n | p |
| концентрация носителей, см-3 | ≥3x1016 | 1x1017 - 3x1018 | 5x1016 - 5x1018 |
| подвижность, см2/В.с | ≥20000 | ≥10000 | ≥100 |
| плотность дислокаций, см-2 | ≤5x104 | ||
| диаметр, мм | 50.8 ± 0.3 |
| толщина, мкм | 450 ± 15 |
| ориентация поверхности | (100) |
| точность ориентации | ± 0.5° ± 0.1° |
| отклонение от точной ориентации | (1 - 10)± 0.1° в заданном направлении |
| базовый и дополнительный срезы | по стандарту SEMI M9, US SEMI и E/J SEMI |
обработка поверхности лицевая сторонаобратная торона |
полированная, годная к эпитаксии полированная, шлифовано-травленая |
| упаковка | индивидуальная |
| |
