GaAs
GaP
InAs
GaSb
InSb
поли GaAs
GaAs для оптики
 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ А3В5
 ООО "ГИРМЕТ" предлагает широкий спектр полупроводниковых материалов А3В5 для электроники и оптики: арсенид галлия, фосфид галлия, арсенид индия, антимонид галлия, антимонид индия. Материалы поставляются в виде поликристаллических слитков и монокристаллических пластин, в том числе "epi-ready" подложки (готовые для эпитаксиального наращивания), а также специальные изделия и оптические заготовки.
МОНОКРИСТАЛЛЫ И ПЛАСТИНЫ
| GaAs |
SI |
нелегированный |
LEC |
SI – полуизолирующий
SC – полупроводящий
Метод выращивания:
LEC – метод Чохральского с жидкостной герметизацией расплава,
CZ – метод Чохральского. |
| SC |
n-тип, p-тип |
LEC |
| GaP |
SC |
n-тип, p-тип |
LEC |
| InAs |
SC |
n-тип, p-тип |
LEC |
| GaSb |
SC |
n-тип, p-тип |
CZ |
| InSb |
SC |
n-тип, p-тип |
CZ |
СПЕЦИАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ИЗДЕЛИЯ
 затравки
стержни, диски и другие формы по индивидуальному заказу
|
