 |
 |
 |
 |
о компании  |
соединения А3В5 | материалы и источники | высокочистые материалы |
|
|
полупроводниковые соединения А3В5GaAsGaP InAs GaSb InSb поли GaAs GaAs для оптики |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| легирующая примесь | нелегированный | Te |
Ge, Mn |
| тип проводимости | n | n | p |
| концентрация носителей, см -3 (77K) | (3 - 7)x1014 | 7x014 - 1x1018 | 1x1015 - 5x1018 |
| подвижность, cм2/В.с (77K) | >4x105 | 4x105 - 2x104 | 6.5x103 - 1x102 |
| плотность дислокаций, см-2 | ≤200 | ||
| диаметр, мм | 50.8 ± 0.3 |
| толщина, мкм | 450 ± 15 |
| ориентация поверхности | (100) (111) |
| точность ориентации | ± 0.5° ± 0.1° |
| отклонение от точной ориентации | (1 - 10)± 0.1° t в заданном направлении |
| базовый и дополнительный срезы | по стандартам SEMI M9, US SEMI и E/J SEMI Standard |
обработка поверхности лицевая сторонаобратная торона |
полированная, годная к эпитаксии полированная, шлифовано-травленая |
| упаковка | индивидуальная |
| |
